Nosič CVD TaC Coating společnosti VeTek Semiconductor je určen hlavně pro epitaxní proces výroby polovodičů. Ultra vysoký bod tání nosiče CVD TaC, vynikající odolnost proti korozi a vynikající tepelná stabilita určují nepostradatelnost tohoto produktu v polovodičovém epitaxním procesu. Upřímně doufáme, že s vámi vybudujeme dlouhodobý obchodní vztah.
VeTek Semiconductor je profesionální přední čínský nosič CVD TaC Coating, EPITAXY SUSCEPTOR, výrobce TaC Coated Graphite Susceptor.
Díky neustálému výzkumu procesů a inovací materiálů hraje nosič povlaku CVD TaC společnosti Vetek Semiconductor velmi kritickou roli v epitaxním procesu, zejména včetně následujících aspektů:
Ochrana podkladu: Nosič povlaku CVD TaC poskytuje vynikající chemickou stabilitu a tepelnou stabilitu, účinně zabraňuje vysokoteplotním a korozivním plynům erodovat substrát a vnitřní stěnu reaktoru a zajišťuje čistotu a stabilitu procesního prostředí.
Tepelná stejnoměrnost: V kombinaci s vysokou tepelnou vodivostí povlakového nosiče CVD TaC zajišťuje rovnoměrnost rozložení teploty v reaktoru, optimalizuje kvalitu krystalů a rovnoměrnost tloušťky epitaxní vrstvy a zvyšuje výkonnostní konzistenci konečného produktu.
Kontrola kontaminace částicemi: Protože nosiče potažené CVD TaC mají extrémně nízkou rychlost tvorby částic, vlastnosti hladkého povrchu významně snižují riziko kontaminace částicemi, čímž se zlepšuje čistota a výtěžnost během epitaxního růstu.
Prodloužená životnost zařízení: V kombinaci s vynikající odolností proti opotřebení a odolností proti korozi nosiče povlaku CVD TaC výrazně prodlužuje životnost součástí reakční komory, snižuje prostoje zařízení a náklady na údržbu a zlepšuje efektivitu výroby.
Kombinací výše uvedených charakteristik nosič CVD TaC Coating společnosti VeTek Semiconductor nejen zlepšuje spolehlivost procesu a kvalitu produktu v procesu epitaxního růstu, ale také poskytuje cenově výhodné řešení pro výrobu polovodičů.
Fyzikální vlastnosti CVD TaC povlakového nosiče:
Obchod na výrobu povlaků CVD SiC:
Přehled průmyslového řetězce epitaxe polovodičových čipů: