Kelímek pro monokrystalický křemík

Vetek Semiconductor Crucible pro monokrystalický křemík jsou nezbytné pro dosažení růstu monokrystalů, což je základní kámen výroby polovodičových zařízení. Tyto kelímky jsou pečlivě navrženy tak, aby splňovaly přísné standardy polovodičového průmyslu a zajistily špičkový výkon a účinnost ve všech aplikacích. Ve společnosti Vetek Semiconductor se věnujeme výrobě a dodávkám vysoce výkonných kelímků pro růst krystalů, které kombinují kvalitu s nákladovou efektivitou.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Při metodě CZ (Czochralski) se monokrystal vypěstuje tak, že se monokrystalické zrnko dostane do kontaktu s roztaveným polykrystalickým křemíkem. Osivo se postupně vytahuje nahoru a přitom se pomalu otáčí. V tomto procesu se používá značné množství grafitových dílů, což z něj činí metodu, která využívá největší množství grafitových složek při výrobě křemíkových polovodičů.

Níže uvedený obrázek poskytuje schematické znázornění křemíkové monokrystalové výrobní pece založené na CZ metodě.

Kelímek Vetek Semiconductor pro monokrystalický křemík poskytuje stabilní a kontrolované prostředí klíčové pro přesnou tvorbu polovodičových krystalů. Jsou nápomocné při pěstování monokrystalických křemíkových ingotů pomocí pokročilých technik, jako je Czochralského proces a metody float-zone, které jsou životně důležité pro výrobu vysoce kvalitních materiálů pro elektronická zařízení.

Tyto kelímky byly navrženy pro vynikající tepelnou stabilitu, odolnost proti chemické korozi a minimální tepelnou roztažnost a zajišťují trvanlivost a robustnost. Jsou navrženy tak, aby vydržely drsná chemická prostředí, aniž by byla ohrožena strukturální integrita nebo výkon, čímž se prodlouží životnost kelímku a udrží se konzistentní výkon při dlouhodobém používání.

Jedinečné složení Vetek Semiconductor Crucibles pro monokrystalický křemík jim umožňuje vydržet extrémní podmínky vysokoteplotního zpracování. To zaručuje výjimečnou tepelnou stabilitu a čistotu, které jsou rozhodující pro zpracování polovodičů. Kompozice také usnadňuje účinný přenos tepla, podporuje rovnoměrnou krystalizaci a minimalizuje teplotní gradienty v křemíkové tavenině.

Výhody našeho povlakového susceptoru SiC:

Ochrana základního materiálu: Povlak CVD SiC působí jako ochranná vrstva během epitaxního procesu a účinně chrání základní materiál před erozí a poškozením způsobeným vnějším prostředím. Toto ochranné opatření výrazně prodlužuje životnost zařízení.

Vynikající tepelná vodivost: Náš povlak CVD SiC má vynikající tepelnou vodivost a účinně přenáší teplo ze základního materiálu na povrch povlaku. To zvyšuje účinnost tepelného managementu během epitaxe a zajišťuje optimální provozní teploty pro zařízení.

Vylepšená kvalita filmu: Povlak CVD SiC poskytuje plochý a jednotný povrch a vytváří ideální základ pro růst filmu. Snižuje defekty vyplývající z nesouladu mřížky, zlepšuje krystalinitu a kvalitu epitaxního filmu a v konečném důsledku zlepšuje jeho výkon a spolehlivost.

Vyberte si náš povlakový susceptor SiC pro potřeby výroby epitaxních plátků a těžte ze zvýšené ochrany, vynikající tepelné vodivosti a zlepšené kvality filmu. Důvěřujte inovativním řešením VeTek Semiconductor, která vám pomohou dosáhnout úspěchu v polovodičovém průmyslu.