Diskový přijímač

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor, vysoce výkonný produkt pro pokročilé procesy výroby polovodičů. Náš grafitový diskový susceptor je navržen tak, aby splňoval náročné požadavky průmyslu a poskytoval výjimečný výkon a spolehlivost.

Tento grafitový diskový susceptor je OEM pro platformu planetárního reaktoru AIX G5.

GaN-on-Si MOCVD se používá pro epitaxní výrobu LED a reaktor Aixtron G5 zlepšuje výtěžnost a jednotnost platformy MOCVD. Plně natočený symetrický jednotný vzor na pěti 200mm plátcích, využívající křemíkový substrát standardní tloušťky a řízení chování plátků při ohýbání formalizoval to, co potřebovali pro výrobu křemíku.

Vysoce čistý grafitový diskový susceptor Vetek Semiconductor pro GaN-on-Si MOCVD, spolehlivé a cenově výhodné řešení pro pokročilé procesy výroby polovodičů.

Náš vysoce čistý grafitový diskový susceptor je speciálně navržen tak, aby splňoval požadavky procesů GaN-on-Si MOCVD. Díky své výjimečné tepelné stabilitě a tepelné odolnosti dokáže odolat náročným teplotním podmínkám typicky v rozmezí od 800 °C do 1100 °C, což zajišťuje optimální výkon během procesu nanášení.

Vysoce čistý grafitový materiál použitý v našem diskovém susceptoru poskytuje vynikající chemickou odolnost, díky čemuž je kompatibilní s amoniakem (NH3) a prekurzory organických kovů běžně používanými v GaN-on-Si MOCVD. To eliminuje potřebu dalších povlaků SiC, což snižuje výrobní náklady, aniž by došlo ke snížení výkonu.

Vysoce čistý grafitový diskový susceptor Vetek Semiconductor nabízí cenově výhodné řešení bez kompromisů v kvalitě. Jeho spolehlivost, odolnost a kompatibilita s procesy GaN-on-Si MOCVD z něj činí preferovanou volbu pro výrobce polovodičů. Důvěřujte společnosti Vetek Semiconductor, že dodá vysoce výkonné grafitové diskové susceptory pro vaše výrobní potřeby GaN-on-Si MOCVD.

Výrobní závody:

Přehled průmyslového řetězce epitaxe polovodičových čipů: