Vysoce čistý porézní grafit

Vysoce čistý porézní grafit od společnosti VeTek Semiconductor je pokročilý materiál pro zpracování polovodičů. Je vyroben z vysoce čistého uhlíkového materiálu s vynikající tepelnou vodivostí, dobrou chemickou stabilitou a vynikající mechanickou pevností. Tento vysoce čistý porézní grafit hraje důležitou roli v procesu růstu monokrystalu SiC. VeTek Semiconductor se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny a těší se, že se stane vaším dlouhodobým partnerem v Číně.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Vysoce kvalitní VeTek Semiconductor Vysoce čistý porézní grafit nabízí čínský výrobce VeTek Semiconductor. Kupte si VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite, který je vysoce kvalitní přímo za nízkou cenu.

VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite je mistrovským dílem tepelně odolných materiálů, které jsou schopné odolat extrémním teplotám, které se vyskytují v polovodičových pecích. Jeho vynikající odolnost a dlouhá životnost znamená méně výměn a méně prostojů, což vede k výrazným úsporám nákladů v průběhu času.

Vyrábíme vysoce čistý porézní grafit z nejkvalitnějších zdrojů uhlíku, abychom zajistili minimální nečistoty a minimální riziko kontaminace. Tato vysoká čistota znamená vyšší výtěžky a vynikající výkon polovodičového zařízení.

Vyberte si vysoce čistý porézní grafit, kde jeho výjimečná tepelná stabilita zajišťuje konzistentní výkon, takže je ideální pro kritické zpracování polovodičů.

Upgradujte svou výrobu polovodičů ještě dnes a použijte vysoce čistý porézní grafit – materiál, který mění způsob, jakým vyrábíme technologie zítřka. Kontaktujte nás ještě dnes a prodiskutujte své specifické potřeby a vydejte se na cestu inovací ve výrobě polovodičů. Pojďme společně vytvořit špičkovou budoucnost výroby polovodičů!

Parametr produktu vysoce čistý porézní grafit

Typické fyzikální vlastnosti porézního grafitu
položky	Parametr
Objemová hmotnost	0,89 g/cc
Pevnost v tlaku	8,27 MPa
Pevnost v ohybu	8,27 MPa
Pevnost v tahu	1,72 MPa
Specifický odpor	130Ω-inX10-5
Pórovitost	50 %
Průměrná velikost pórů	70 um
Tepelná vodivost	12W/M*K