Držák destičky potažený SiC

Držák waferů potažených SiC od VeTek Semiconductor se obvykle používá k fixaci a podpoře waferů během zpracování polovodičů. Je to vysoce výkonnýnosič oplatekširoce používané ve výrobě polovodičů. Nanesením vrstvy karbidu křemíku (SiC) na povrchsubstrátmůže produkt účinně zabránit korozi substrátu a zlepšit odolnost proti korozi a mechanickou pevnost nosiče plátků, což zajišťuje požadavky na stabilitu a přesnost procesu zpracování.

Držák na oplatky potažený SiCse obvykle používá k fixaci a podpoře waferů během zpracování polovodičů. Jedná se o vysoce výkonný wafer nosič široce používaný ve výrobě polovodičů. Potažením vrstvykarbid křemíku (SiC)na povrchu substrátu může produkt účinně zabránit korozi substrátu a zlepšit odolnost proti korozi a mechanickou pevnost nosiče plátků, což zajišťuje požadavky na stabilitu a přesnost procesu zpracování.

Karbid křemíku (SiC) má teplotu tání asi 2 730 °C a má vynikající tepelnou vodivost asi 120–180 W/m·K. Tato vlastnost může rychle odvádět teplo při vysokoteplotních procesech a zabránit přehřátí mezi plátkem a nosičem. Držák destiček s povlakem SiC proto obvykle jako substrát používá grafit potažený karbidem křemíku (SiC).

V kombinaci s extrémně vysokou tvrdostí SiC (tvrdost podle Vickerse asi 2 500 HV) může povlak karbidu křemíku (SiC) nanesený procesem CVD vytvořit hustý a silný ochranný povlak, který výrazně zlepšuje odolnost držáku destiček s povlakem SiC. .

Držák destičky SiC Coated Wafer společnosti VeTek Semiconductor je vyroben z grafitu potaženého SiC a je nepostradatelnou klíčovou součástí v moderních procesech epitaxe polovodičů. Chytře kombinuje vynikající tepelnou vodivost grafitu (tepelná vodivost je asi 100-400 W/m·K při pokojové teplotě) a mechanickou pevnost a vynikající chemickou odolnost proti korozi a tepelnou stabilitu karbidu křemíku (bod tání SiC je cca 2 730 °C), dokonale splňující přísné požadavky dnešního špičkového výrobního prostředí polovodičů.

Tento designový držák s jednou destičkou dokáže přesně ovládatepitaxní procesparametry, což pomáhá vyrábět vysoce kvalitní, vysoce výkonná polovodičová zařízení. Jeho unikátní strukturální design zajišťuje, že s waferem je během celého procesu zacházeno s největší péčí a přesností, čímž je zajištěna vynikající kvalita epitaxní vrstvy a zlepšení výkonu konečného polovodičového produktu.

Jako vedoucí ČínaS povlakem SiCVýrobce a lídr Wafer Holder, společnost VeTek Semiconductor, může poskytovat přizpůsobené produkty a technické služby podle vašich požadavků na zařízení a procesy.Upřímně doufáme, že budeme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.

Základní fyzikální vlastnosti CVD SiC povlaku:

VeTek Semiconductor SiC Coated Wafer Holder Productions：