VeTek Semiconductor se specializuje na výrobu ultračistých produktů s povlakem z karbidu křemíku, tyto povlaky jsou navrženy pro aplikaci na čištěný grafit, keramiku a součásti žáruvzdorných kovů.
Naše vysoce čisté povlaky jsou primárně určeny pro použití v polovodičovém a elektronickém průmyslu. Slouží jako ochranná vrstva pro nosiče plátků, susceptory a topné prvky a chrání je před korozivním a reaktivním prostředím, které se vyskytuje v procesech, jako je MOCVD a EPI. Tyto procesy jsou nedílnou součástí zpracování plátků a výroby zařízení. Kromě toho jsou naše povlaky vhodné pro aplikace ve vakuových pecích a ohřevu vzorků, kde se setkáváme s vysokým vakuem, reaktivním a kyslíkovým prostředím.
Ve společnosti VeTek Semiconductor nabízíme komplexní řešení s našimi pokročilými možnostmi strojírny. To nám umožňuje vyrábět základní komponenty s použitím grafitu, keramiky nebo žáruvzdorných kovů a nanášet keramické povlaky SiC nebo TaC ve firmě. Poskytujeme také lakovací služby pro díly dodané zákazníkem, což zajišťuje flexibilitu pro splnění různých potřeb.
Naše produkty z karbidu křemíku jsou široce používány v epitaxi Si, epitaxi SiC, systému MOCVD, procesu RTP/RTA, procesu leptání, procesu leptání ICP/PSS, procesu různých typů LED, včetně modré a zelené LED, UV LED a hlubokého UV LED atd., která je přizpůsobena zařízení od LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI a tak dále.
Základní fyzikální vlastnosti CVD SiC povlaku | |
Vlastnictví | Typická hodnota |
Krystalová struktura | FCC β fáze polykrystalická, převážně (111) orientovaná |
Hustota | 3,21 g/cm³ |
Tvrdost | Tvrdost 2500 Vickers(zátěž 500g) |
Velikost zrna | 2~10μm |
Chemická čistota | 99,99995 % |
Tepelná kapacita | 640 J·kg-1·K-1 |
Teplota sublimace | 2700 ℃ |
Pevnost v ohybu | 415 MPa RT 4-bod |
Youngův modul | Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
Tepelná vodivost | 300W·m-1·K-1 |
Tepelná roztažnost (CTE) | 4,5×10-6K-1 |