> Zprávy

Zprávy

Polovodičový substrát wafer: Materiálové vlastnosti křemíku, GaAs, SiC a GaN

Článek analyzuje materiálové vlastnosti polovodičových substrátových waferů, jako je křemík, GaAs, SiC a GaN

Technologie nízkoteplotní epitaxe na bázi GaN

Tento článek popisuje především nízkoteplotní epitaxní technologii na bázi GaN, včetně krystalové struktury materiálů na bázi GaN, 3. požadavky na epitaxní technologii a implementační řešení, výhody nízkoteplotní epitaxní technologie založené na principech PVD a vyhlídky vývoje nízkoteplotní epitaxn......

Přečtěte si více

Jaký je rozdíl mezi CVD TaC a slinutým TaC?

Tento článek nejprve představuje molekulární strukturu a fyzikální vlastnosti TaC a zaměřuje se na rozdíly a aplikace slinutého karbidu tantalu a CVD karbidu tantalu, stejně jako na oblíbené povlakové produkty TaC společnosti VeTek Semiconductor.

Přečtěte si více

Jak připravit povlak CVD TaC?

Tento článek představuje produktové charakteristiky povlaku CVD TaC, proces přípravy povlaku CVD TaC metodou CVD a základní metodu pro detekci morfologie povrchu připraveného povlaku CVD TaC.

Přečtěte si více

Co je povlak z karbidu tantalu?

Tento článek představuje produktové charakteristiky povlaku TaC, specifický proces přípravy produktů povlakování TaC pomocí procesu CVD, a představuje nejoblíbenější povlak TaC společnosti VeTek Semiconductor.

Přečtěte si více

Proč je povlak SiC klíčovým materiálem jádra pro epitaxní růst SiC?

Tento článek analyzuje důvody, proč je povlak SiC klíčovým materiálem jádra pro epitaxní růst SiC, a zaměřuje se na specifické výhody povlaku SiC v polovodičovém průmyslu.

Přečtěte si více

<...3 4 5 6 7...10 >