S rostoucí poptávkou po SiC materiálech ve výkonové elektronice, optoelektronice a dalších oborech se vývoj technologie růstu monokrystalů SiC stane klíčovou oblastí vědeckých a technologických inovací. Jako jádro zařízení pro růst monokrystalů SiC bude návrhu tepelného pole nadále věnována rozsáhlá......
Přečtěte si více