> Zprávy > Novinky z oboru

Novinky z oboru

Historie vývoje 3C SiC

Díky neustálému technologickému pokroku a hloubkovému výzkumu mechanismů se očekává, že heteroepitaxní technologie 3C-SiC bude hrát důležitější roli v polovodičovém průmyslu a bude podporovat vývoj vysoce účinných elektronických zařízení.

Přečtěte si více

Recept na nanášení atomové vrstvy ALD

Prostorová ALD, prostorově izolovaná depozice atomové vrstvy. Oplatka se pohybuje mezi různými polohami a v každé poloze je vystavena různým prekurzorům. Níže uvedený obrázek je srovnání mezi tradiční ALD a prostorově izolovanou ALD.

Přečtěte si více

Průlom v technologii karbidu tantalu, epitaxní znečištění SiC sníženo o 75 %?

Německý výzkumný ústav Fraunhofer IISB nedávno učinil průlom ve výzkumu a vývoji technologie povlakování karbidu tantalu a vyvinul roztok nanášení stříkáním, který je flexibilnější a šetrnější k životnímu prostředí než roztok na nanášení CVD, a byl komerčně využit.

Přečtěte si více

Průzkumná aplikace technologie 3D tisku v polovodičovém průmyslu

V době rychlého technologického rozvoje 3D tisk jako významný představitel pokročilé výrobní technologie postupně mění tvář tradiční výroby. Díky neustálé vyspělosti technologie a snižování nákladů ukázala technologie 3D tisku široké možnosti uplatnění v mnoha oblastech, jako je letecký průmysl, výr......

Přečtěte si více

Technologie přípravy křemíkové (Si) epitaxe

Samotné monokrystalické materiály nemohou uspokojit potřeby rostoucí výroby různých polovodičových součástek. Koncem roku 1959 byla vyvinuta tenkovrstvá technologie růstu monokrystalického materiálu - epitaxní růst.

Přečtěte si více

Založeno na 8palcové technologii pěstování monokrystalů z karbidu křemíku

Karbid křemíku je jedním z ideálních materiálů pro výrobu vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, vysoce výkonných a vysokonapěťových zařízení. Pro zlepšení efektivity výroby a snížení nákladů je příprava velkorozměrových substrátů z karbidu křemíku důležitým směrem vývoje.

Přečtěte si více

<...6 7 8 9 10 >